主要用途：

　　用于制备导电薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜等，广泛应用于大专院校、科研机构的科研及小批量生产。

　　系统组成:

　　系统主要由蒸发真空室、E型电子枪、热蒸发电极、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。

　　技术指标：

　　1.极限真空度：≤6.7×10 Pa

　　2.恢复真空时间：从1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min

　　3.系统漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；

　　4.e型电子枪：阳极电压：8kv(1套)

　　5.坩埚：水冷式坩埚，4穴设计，每个容量11ml

　　6.功率：0-8KW可调

　　7.电阻蒸发源(可选)电压：5V

　　8.功率：电流300A，最大输出功率2Kw1套，可切换水冷电

　　极3根，组成2个蒸发舟

　　9.基片尺寸：可放置4″基片

　　10.样品台：基片可连续回转，转速5-60转/分基片与蒸发源之间距离300-350mm加热最高温度 600°C±1°C，可调手动控制样品挡板组件1套

　　气路系统：质量流量控制器1路

　　石英晶振膜厚控制仪：监测膜厚显示范围：0-99μ9999Å